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GA10JT12-263
- 型号 :
- GA10JT12-263
- 制造商 :
- GeneSiC Semiconductor
- 简介 :
- TRANS SJT 1200V 25A
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- 单价 :
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1 - 10 : ¥ 138.02 11 - 100 : ¥ 136.79 101 - 1000 : ¥ 134.33
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| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） |
|---|---|
| FET 类型 | Junction Transistor， Normally Off |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1403pF @ 800V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
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| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 120 毫欧 @ 10A |
| 供应商器件封装 |
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| 功率 - 最大值 | 170W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 |
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| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 25A（Tc） |
