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IPD60R380P6BTMA1

型号 :
IPD60R380P6BTMA1
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 600V 3TO252
PDF :
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库存 :
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单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

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zeng-gerrard
公司地址:
深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦2119房
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 877pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 19nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 3.8A,10V
供应商器件封装 PG-TO252-3
功率 - 最大值 83W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.6A(Tc)
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