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IRFHM792TR2PBF

型号 :
IRFHM792TR2PBF
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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库存 :
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单价 :
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公司地址:
深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦2119房
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 251pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 6.3nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 195 毫欧 @ 2.9A,10V
供应商器件封装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
功率 - 最大值 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A
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